7月30日，中国科学院半导体研究所曝出仪器设备采购需求，将以903万的价格采购两台等离子设备。两台设备分别为厚氮化硅感应耦合等离子体化学气相沉积台和硅基铌酸锂薄膜电感耦合等离子刻蚀机。前者用于光波导器件表面的氧化硅及氮化硅薄膜淀积，适用于波导器件中包层薄膜的沉积。后者用于坚硬材料刻蚀形成波导，专为刻蚀铌酸锂材料研发，也可刻蚀氧化硅等材料。 项目名称：2019年中国科学院半导体研究所科研仪器设备采购项目（第三批） 项目编号：OITC-G190330983  采购单位联系方式： 采购单位：中国科学院半导体研究所 地址：北京市海淀区清华东路甲35号 联系方式：010-82304941/010-82304907 代理机构联系方式： 代理机构：东方国际招标有限责任公司 代理机构联系人：010-68290507 代理机构地址：北京市海淀区清华东路甲35号 采购详情如下： 包号 货物名称 数量（台/套） 是否允许进口 预算（万元） 1 厚氮化硅感应耦合等离子体化学气相沉积台 1 是 398 2 硅基铌酸锂薄膜电感耦合等离子刻蚀机 1 是 505 各设备工艺技术规格详情： 厚氮化硅感应耦合等离子体化学气相沉积台 (1)氧化硅薄膜沉积 *3.15.1.1折射率（1550nm下测量） 1.44-1.52可调 #3.15.1.2折射率均匀性 < +/-0.01 #3.15.1.3折射率重复性 < +/-0.01 *3.15.1.4厚度 ＞20μm 3.15.1.5样品尺寸 3英寸 3.15.1.6沉积速度 > 1500A/min #3.15.1.7片内厚度均匀性 < +/-3% 3.15.1.7片与片厚度均匀性 < +/-5% 3.15.1.9硅的应力 (以1微米薄膜厚度测试) < -300MPa 压应力 (2)氮化硅薄膜沉积 #3.15.2.1折射率（1550nm下测量） 1.8-2.2可调 #3.15.2.2折射率均匀性 < +/-0.01 3.15.2.3折射率重复性 < +/-0.01 3.15.2.4沉积速度 > 200A/min 3.15.2.5样品尺寸 3英寸 #3.15.2.6片内厚度均匀性 < +/-3% 3.15.2.7片与片厚度均匀性 < +/-5% 3.15.2.8硅的应力 (以1微米薄膜厚度测试) < 100MPa 伸应力   硅基铌酸锂薄膜电感耦合等离子刻蚀机 （1） 铌酸锂刻蚀工艺 3.15.1.1刻蚀材料 铌酸锂 3.15.1.2刻蚀结构 线宽100nm-1μm波导 3.15.1.3掩膜 >200nm厚Cr硬掩模。 所有刻蚀掩膜必须为挺直，侧壁角度>80° 3.15.1.4曝露面积 ＞80% 3.15.1.5刻蚀深度 300-700nm 3.15.1.6刻蚀速度 >30nm/min *3.15.1.7片内刻蚀深度均匀性 <±3% #3.15.1.8片与片刻蚀深度均匀性 <±5% *3.15.1.9对应硬掩模选择比 >5:1 *3.15.1.10侧壁倾角 >75° *3.15.1.11侧壁粗糙度 ＜10nm  （2） 氧化硅刻蚀工艺 3.15.2.1刻蚀材料 氧化硅 3.15.2.2刻蚀结构 线宽5-10μm波导 3.15.2.3掩膜 >3um厚PR。 所有刻蚀掩膜必须为挺直，侧壁角度>80° 3.15.2.4曝露面积 <15% 3.15.2.5刻蚀深度 6-15um 3.15.2.6刻蚀速度 >3000A/min #3.15.2.7片内刻蚀深度均匀性 <±3% #3.15.2.8片与片刻蚀深度均匀性 <±5% 3.15.2.9对应光刻胶选择比 >3:1 3.15.2.10角度 >85°